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[发明专利]一种二次电池用三明治结构金属复合负极片-CN201810358099.0有效
发明人：马延文;陈剑宇 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本发明涉及一种二次电池用三明治结构金属复合负极片，包括M金属片和粘附在M金属片上、下表面的金属纳米线层，所述M金属片为锂金属片、钠金属片或镁金属片，所述金属纳米线层由一组粘附在M金属片表面的金属纳米线组成，所述金属纳米线为铜纳米线、镍纳米线或铜镍纳米线。本发明的优点是通过金属纳米线粘附在M金属片上下表面形成的网络结构分散了表面电流，同时使得M金属离子的分布更加均匀。
一种二次电池三明治结构金属复合负极

[发明专利]一种双栅耦合结构及其制备方法和应用-CN201910600677.1有效
发明人：何军;黄文浩;王峰 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种双栅耦合结构及其制备方法和应用，所述双栅耦合结构包括在衬底上从下到上依次设置的过渡金属硫化物纳米片、金属电极、六方氮化硼纳米片、铜铟磷硫纳米片和顶层金属板，且各相邻的层间紧密贴合；过渡金属硫化物纳米片、六方氮化硼纳米片、铜铟磷硫纳米片和顶层金属板在竖直方向上有重叠的区域，且顶层金属板有部分区域不与铜铟磷硫纳米片重叠但与六方氮化硼纳米片和过渡金属硫化物纳米片重叠；金属电极至少为三条，其中至少两条位于过渡金属硫化物纳米片/六方氮化硼纳米片/铜铟磷硫纳米片/顶层金属板重叠区域，至少一条位于过渡金属硫化物纳米片/六方氮化硼纳米片/顶层金属板重叠区域。
一种耦合结构及其制备方法应用

[发明专利]制备金属纳米片的方法及金属纳米片-CN201610201224.8有效
发明人：伍晖;房明浩;刘瀚文;唐浩 -专利权人：清华大学;中国地质大学（北京）
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：本发明提出了制备金属纳米片的方法及金属纳米片。该方法包括：对至少两片金属片进行多次加压处理，以便获得多层金属纳米片，其中，所述至少两片金属片所含有的金属元素不全部相同。该方法能够快速、大规模地制备多层金属纳米片，且成本低廉、操作简便、对设备要求极低，且通过控制加压处理的次数即可调控金属纳米片的厚度。
制备金属纳米方法

[发明专利]金属纳米片的制备方法、金属纳米片、用途和负极活性材料-CN201811561463.X在审
发明人：唐永炳;谢东豪;张苗 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C21D1/26 文献下载
摘要：本发明属于金属纳米片技术领域，涉及一种金属纳米片的制备方法、金属纳米片、用途和负极活性材料。本发明金属纳米片的制备方法，包括以下步骤：提供一金属箔，在所述金属箔的表面涂覆有机涂层，然后将涂覆有机涂层的金属箔多次对折和多次加压，得到金属－有机涂层复合片；将金属－有机涂层复合片中的金属片和有机涂层进行分离，得到金属纳米片。本发明工艺简单，易于实施，简化了工艺流程，可拓宽二维纳米化金属的选择范围，降低材料制备成本，减少化学废液的产生，绿色环保，能耗低，能够获得纯度高、质量好的二维金属纳米材料。
金属纳米片有机涂层金属箔制备负极活性材料复合片金属材料制备成本对折表面涂覆二维金属二维纳米化学废液绿色环保纳米材料工艺流程金属片涂覆加压能耗

[发明专利]改质的金属纳米片及包括其的导电浆料-CN201910027649.5有效
发明人：郭信良;张宏铭;黄淑娟;洪健益 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： B22F1/068 文献下载
摘要：本揭露内容的实施例提供一种改质的金属纳米片及包含其的导电浆料。改质的金属纳米片包含金属纳米片、第一保护剂以及第二保护剂。金属纳米片的平均宽度为0.3～20微米，且金属纳米片的平均厚度为10～35纳米。第一保护剂设置于金属纳米片的表面上，且第一保护剂包含含氧高分子。第二保护剂设置于金属纳米片的表面上，且第二保护剂包含C6至C12的烷基胺。
金属纳米包括导电浆料

[发明专利]用于纳米片装置的取代金属栅极图案化-CN201810500777.2有效
发明人：谢瑞龙;朴灿柔;成敏圭;金勋;臧辉;许国伟 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及用于纳米片装置的取代金属栅极图案化，其关于一种用于纳米片装置的取代金属栅极图型化的方法，包括：在衬底上形成第一与第二纳米片堆栈，该第一与第二纳米片堆栈彼此相邻，并且各包括以一距离分开的垂直相邻的纳米片；沉积围绕该第一纳米片堆栈的第一金属、及该第一金属的围绕该第二纳米片堆栈的第二部分；在该第一纳米片堆栈与该第二纳米片堆栈之间形成隔离区；利用蚀刻程序移除该第一金属的围绕该第二纳米片堆栈的该第二部分，该隔离区防止该蚀刻程序伸抵该第一金属的该第一部分，并且藉以防止移除该第一金属的该第一部分；以及沉积将该第二纳米片堆栈的各该纳米片围绕的第二金属。
用于纳米装置取代金属栅极图案

[发明专利]具有高分散性的金属纳米点规则修饰的石墨烯片复合材料及原位制备方法-CN201110049804.7有效
发明人：陈红征;杨曦;徐明生 -专利权人：浙江大学
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： C01B31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高分散性的金属纳米点规则修饰的石墨烯片复合材料及原位制备方法。金属纳米点修饰的石墨烯片纳米复合材料由石墨烯片和修饰在石墨烯片表面的金属纳米点组成。其制备方法包括：含有巯基的苝酰亚胺衍生物分子自组装到氧化石墨烯片表面引入巯基；被巯基修饰的氧化石墨烯片还原得到巯基修饰的石墨烯片；加入正价金属盐在石墨烯片表面的巯基位点还原生成金属纳米点，得到由金属纳米点修饰的石墨烯片纳米复合材料本发明得到的金属纳米点修饰的石墨烯片复合材料具有规则、稳定的结构，金属纳米点在石墨烯片表面规则分布且密度可控，具有良好的水溶液分散性，优异的电化学活性，在纳米催化、电化学传感等领域具有广泛的应用前景。
具有分散性金属纳米规则修饰石墨复合材料原位制备方法

[发明专利]金属纳米片或金属/高聚物复合纳米片的制备方法-CN200910264946.8无效
发明人：刘天晴;丁欢欢 -专利权人：扬州大学
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： C25D1/04 文献下载
摘要：金属纳米片或金属/高聚物复合纳米片的制备方法，涉及纳米片的制备方法，在具有厚度均匀的层状纳米水层和纳米油层的层状液晶中，采用电沉积法制备厚度均匀的金属纳米片或金属/高聚物复合纳米片。本发明利用层状液晶同时具有厚度均匀的层状纳米水层和纳米油层结构，限制反应物的扩散、电沉积位置与电沉积物生长取向，生成纳米片，使生成的纳米片厚度均一、不易团聚。其制备过程简单、成本低、速度快、结构均匀、普适性强，可方便地通过调节层状液晶结构进行控制纳米片形貌、厚度和尺寸等。
金属纳米高聚物复合制备方法

[发明专利]一种降低寄生电容的负电容纳米带环栅晶体管器件结构-CN202210766713.3在审
发明人：秦来香;魏益群;何进;李春来;王秀梅;胡国庆;岳玉涛 -专利权人：深港产学研基地（北京大学香港科技大学深圳研修院）;北京大学深圳研究院
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低寄生电容的负电容纳米带环栅晶体管器件结构，包括衬底、半导体浅沟槽隔离层、第一金属栅极、介电层、铁电层、第一纳米片堆栈部、第二纳米片堆栈部和第二金属栅极，第一金属栅极和第二金属栅极的底端均嵌入安装衬底，且衬底上设置有半导体浅沟槽隔离层；第二金属栅极位于第一金属栅极的两端；第一金属栅极和第二金属栅极上均匀的插接有第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部；第一纳米片堆栈部分布在第二纳米片堆栈部的两侧，第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部互不相连；第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部的外部均沉积有介电层；该结构；对降低器件的动态功耗，提高器件的工作速度，增加其工作频率具有深远的意义。
一种降低寄生电容纳米带环晶体管器件结构

[发明专利]电导体、一维-二维混杂结构体、和包括其的电子器件-CN201610851418.2有效
发明人：金世润;卢钟旭;李钟敏;丁度源;黄成宇;郭灿;黄珍荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01B5/00 文献下载
摘要：所述电导体包括：包括多个金属纳米线的第一导电层；和设置在第一导电层的表面上的第二导电层，其中第二导电层包括多个金属氧化物纳米片；其中在第一导电层中的所述多个金属纳米线的金属纳米线接触所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片；和其中所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片彼此接触以提供电连接。
导体二维混杂结构包括电子器件

[发明专利]具有自支撑纳米片的纳米材料及其制备方法和应用-CN201810333267.0有效
发明人：喻学锋;康翼鸿;刘丹妮 -专利权人：武汉中科先进技术研究院有限公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C01G51/04 文献下载
摘要：本发明公开了具有自支撑纳米片的纳米材料及其制备方法和应用，该材料的核心为颗粒尺寸为0.05μm～20μm的金属片核，金属核表面为对应金属氢氧化物和/或金属氧化物纳米片形成的自支撑纳米结构。本发明的金属氢氧化物和/或金属氧化物纳米片是基于片层与金属内核以及片层与片层之间的自交联组装形成的，具有较高的比表面积和稳定的三维网络结构，其结合了金属氢氧化物优异的物理化学性能和纳米片超薄的特性。
具有支撑纳米材料及其制备方法应用

[发明专利]一种基于多维纳米材料的封装膏体及其制备方法-CN202010153063.6有效
发明人：唐宏浩;张卫红;黄显机;叶怀宇;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于纳米材料的封装膏体及其制备方法，所述纳米材料包括至少两种不同维度的纳米金属，包括以下制备步骤：第一步：在第一纳米金属线，和/或第一纳米金属片表面刻蚀孔洞，形成第二纳米金属线，和/或第二纳米金属片，所述孔洞直径为10nm～40nm；第二步:采用第一溶剂清洗第一纳米金属颗粒、第二纳米金属线，和/或第二纳米金属片，得到第二纳米金属颗粒、第三纳米金属线，和/或第三纳米金属片；第三步：混合第二纳米金属颗粒、第三纳米金属线，和/或第三纳米金属片得到第一混合物，将所述第一混合物与第二溶剂混合得到第二混合物；第四步：浓缩处理第二混合物得到封装膏体。
一种基于多维纳米材料封装及其制备方法

[发明专利]负载有钯的二茂铁基超薄金属有机框架纳米片及其制备方法-CN201810708961.6有效
发明人：俞豪杰;邓正;王立 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： B01J31/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种负载有钯的二茂铁基超薄金属有机框架纳米片及其制备方法。所述的负载有钯的二茂铁基超薄金属有机框架纳米片是在二茂铁基超薄金属有机框架纳米片上负载钯形成；二茂铁基超薄金属有机框架纳米片由有机配体1,1'‑二茂铁二甲酸、金属盐四氯化锆和调制剂酸制备获得；将二茂铁基超薄金属有机框架纳米片和水加入到反应容器中，超声得超薄金属有机框架纳米片分散液；在超薄金属有机框架纳米片分散液中加入钯的前驱体，在一定温度下反应一段时间得负载有钯的超薄金属有机框架纳米片。本发明制备方法简单，绿色环保，所得负载有钯的二茂铁基超薄金属有机框架纳米片具有多孔的结构，化学性质稳定，在非均相催化领域有着重要的应用前景。
载有二茂铁基超薄金属有机框架纳米及其制备方法

[发明专利]一种制备金属纳米片的方法及金属纳米片-CN201911294853.X在审
发明人：蒋连福;曾海波 -专利权人：南京牧科纳米科技有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明属于纳米技术领域，尤其为一种制备金属纳米片的方法及金属纳米片，该制备金属纳米片的方法包括以下步骤：S1、涂覆聚合物膜：首先在衬底表面涂覆聚合物膜，然后将该聚合物膜热固化或光固化；S2、一次溅射成膜：通过溅射法在聚合物膜上溅射成一层纳米厚的金属膜层H；S3、压力烧结：采用压力烧结法将硬质纳米晶粉末烧结呈纳米厚的纳米合金片I。本发明能够使金属纳米片具备稳定的纳米颗粒连接机构，保证了由此制得的金属纳米材料的金属强度，能够提高加压处理的效率以及效果，通过加热处理可以消除多次加压处理造成的金属片加工硬化或者金属延展性降低，有利于维持金属片具有良好的塑性变形能力
一种制备金属纳米方法

[发明专利]导电材料、打印墨水以及导电结构的制备方法-CN201710919811.5在审
发明人：张幸福;张伟;王超越 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方显示技术有限公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01B1/02 文献下载
摘要：该导电材料包括多个导电金属纳米片和填充在所述多个导电金属纳米片之间的间隙中的导电金属纳米颗粒。在本公开的实施例提供的导电材料中，导电金属纳米片的导电性能优异、成本低，且导电金属纳米片不容易发生团聚现象，这样以导电金属纳米片作为骨架，在其间隙中填充导电金属纳米颗粒可以形成致密的结构，从而提高了该导电材料的导电性能和机械性能
导电材料打印墨水以及结构制备方法

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